據《應用物理雜志》的一篇研究表明，一種新型氧化鉻薄層電阻可以通過控制材料氧原子的成分含量來調節。倫敦納米技術中心的技術人員們為量子電路制作出了一種新型小體積高阻值電阻器。這種電阻器促進了量子器材在基礎物理研究和計算領域方面的應用。

量子相位滑移電路由極窄極細的超導材料絲制成，這種小體積高阻值的電阻器的應用之一自然就是可以使用在量子相位滑移電路（qps）中。這種極窄極細的超導絲可以利用量子隧穿效應（也就是一種基本的、反直覺的量子特性）使磁通量在超導絲中來回移動并突破勢壘，這一優點是常規的經典力學世界所不能達到的。

倫敦納米技術中心的實驗科學家保羅說，電阻器需要將QPS器件中脆弱不穩定的量子態從充滿噪音的外界隔離出來，在作為電流標準的應用中，電阻器也能讓量子器件穩定工作。但通常集成電路中電阻的常規材料不能在很小的體積下提供足夠高的阻值。

該納米電阻器由氧化鉻的復合物制成，通過控制薄層中氧原子的成分濃度來調節氧化鉻薄層的電阻：氧原子的成分越少，電阻阻值就越小。

將電阻器在同一溫度下冷卻并對具有不同氧原子和鉻原子比例的材料測量其電阻率，研究發現，在低溫時一般都有較高的阻值，而QPS電路所要求的電阻器恰好是需要在低溫下仍然能具有高阻值，因為當溫度足夠低，量子效應就會超越經典效應成為主導。

該研究組同時也描述了氧化鉻薄層在鈮硅材料交界面的接觸電阻特性，在氧化鉻和鈮硅材料之間加入一層金的中間層可以降低接觸阻值。